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基本信息
简体:金属氧化物半导体集成电路
拼音:Jin Shu Yang Hua Wu Ban Dao Ti Ji Cheng Dian Lu
繁体:金屬氧化物半導體集成電路
编码:%e9%87%91%e5%b1%9e%e6%b0%a7%e5%8c%96%e7%89%a9%e5%8d%8a%e5%af%bc%e4%bd%93%e9%9b%86%e6%88%90%e7%94%b5%e8%b7%afwwW.wENtiyI.COm
基本解释
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低,但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
词语分解
金属 : 具有光泽和延展性,容易导电、传热等性质的单质。除汞以外,在常温下都是固体,如金、银、铜、铁、锰、锌等。
集成电路 : 在同一硅片上制作许多晶体管和电阻,并将它们联成一定的电路,完成一定的功能,这种电路称为集成电路。具有体积小,耐震,耐潮,稳定性高等优点。广泛应用于电子计算机、测量仪器和其他方面。
网络解释
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