与 硅管和锗管的导通电压一般近似为多少? 相关的试题 1、【判断题】硅管的死区电压约为0.5 导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2 导通电压约为0.3。 【判断题】硅管的死区电压约为0 5，导通电压约为0 7；锗管的死区电压约为0 2，导通电压约为0 3。 A．Y 是B．N 否... 2、硅管的导通电压约为（）V。 硅管的导通电压约为（）V。 A．0 1B．0 3C．0 5D．0 7... 3、硅管的死区电压为0.2V 导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V 导通压降为0.2~0.3V。 硅管的死区电压为0 2V，导通压降为0 6~0 7V；锗管的死区电压为0 5V，导通压降为0 2~0 3V。 ... 4、肖特基二极管的导通电压 大约为 。 肖特基二极管的导通电压 ，大约为 。 A．较高；0 7VB．较高；0 4VC．较低；0 7VD．较低；0 4V... 5、硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V 锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。 硅二极管的导通电压约为0 6-0 8V，锗二极管的导通电压约为0 2-0 3V。 ... 6、在某放大电路中 测得三极管静态电位VBE =0.2V VCE = 4V 则这只三极管为（)。A.NPN硅管B.NPN锗管C. 在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE =0 2V、VCE = 4V，则这只三极管为()。A NPN硅管B NPN锗管C PNP硅管D PNP锗管请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！... 7、类NMOS或非门的工作管是串联的 当输入全为高电平时 各管的导通电阻串联 使低电平输出电压升高 以 类NMOS或非门的工作管是串联的，当输入全为高电平时，各管的导通电阻串联，使低电平输出电压升高，以致破坏正常逻辑功能；而类NMOS与非门的工作管是并联 ... 8、温度升高时 二极管的导通电压（）。 温度升高时，二极管的导通电压（）。 A．增大B．减小C．不变D．变化具有不确定性... 9、【填空题】硅二极管的导通电压是 【填空题】硅二极管的导通电压是 ... 10、【填空题】锗二极管的导通电压是 【填空题】锗二极管的导通电压是 ... 为您找到前 10 个相关试题，更多内容请题库搜索
