由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结 计算在室温(300K)时 内建电位差VD和阻挡层宽度

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由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结,计算在室温(300K)时,内建电位差VD和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下,p区的空穴迁移率μp=1650cm2/(V·s),n区电子的迁移率μn=3000cm2/(V·s),锗的本征载流子浓度ni=2.5×1013cm-3。

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