掺砷的硅片是N型半导体 这种半导体中的电子浓度是2×1021个／m3 电阻率是1.6×10－2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以
霍尔,半导体,硅片
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掺砷的硅片是N型半导体，这种半导体中的电子浓度是2×1021个/m3，电阻率是1.6×10-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场，硅片的尺寸相当小，是a×b×c=0.5cm×0.2cm×0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场方向垂直时，测得0.2cm宽度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
