导航:题目详情 | 答案解析 | 相关问题 | 最新问题 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加 包括 医卫类 2020-04-28 11:22:11 突触,电位,离子 已帮助 人 抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加,包括A:Na+,K+,尤其是K+ B:Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+ C:Na+,Cl-,尤其是Na+ D:K+,Cl-,尤其是Cl- E:K+,Ca2+,Na+,尤其是Ca2+ 热搜:突触小体和突触小泡的区别 答案解析 难度★★☆ 搜索 答案:D抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl-(为主)和K+的通透性升高,引起Cl-的内流和K+的外流,使膜内负电位更负,引进突触后神经元产生抑制。 相关问题 1、关于抑制性突触后电位的产生 正确的叙述是()。A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大B.突触后膜去极化C.突 2017-09-21 2、兴奋性与抑制性突触后电位的相同点是( )A.突触后膜去极化B.都可向远端传导C.都与突触后膜对 2020-04-28 3、抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 2020-04-28 4、突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位 2020-04-28 5、抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加 2020-04-28 6、抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生 2022-08-12