简述热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤及各自要点。
热交换,法制,要点
已帮助 人
简述热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤及各自要点。
-
参考答案热交换法制备铸造多晶硅的工艺步骤包括:装料、加热、化料、晶体生长、退火、冷却。 装料:先将炉内抽真空然后通入氧气作为保护气体。 加热：加热引硅熔点温度以下，使石墨部分、隔热层、硅原料等表面吸附的物质蒸发。 化料:逐渐加热到 1500℃左右，硅原料开始熔化。 晶体生长:使温度降至1420～1440℃左右，同时进行热交换，生长过程中国液界面始终与水平面平行，直至晶体生长完成。 退火:晶体生长完成后，硅锭保持在硅熔点附近2～4h，以减少热应力。 冷却:炉内通入大流量氧气，使晶体温度逐渐降低至室温附近。