由一块本征半导体锗 测得如下数据： T（K) 333 385 455 566 714 σ（1／Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400 求
半导体,数据,空穴
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由一块本征半导体锗，测得如下数据：
T(K) 333 385 455 566 714
σ(1/Ω·cm) 7.4 36 164 770 4400
求锗的禁带宽度。假设Eg与温度无关，空穴与电子的迁移率与温度的关系为μ=常数×T-3/2。
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对于本征锗材料，满足关系式
σi=niq(μn+μp)
ni=A1T3/2exp(-Eg/2k0T)
由于μ=A2T-3/2，故
σi=A2exp(-Eg/2k0T)
式中，A1、A2、A3为常数，取对数
lnσi=lnA3-Eg/2k0T
按题意将原来的数据作成lnσi与1/T关系图，可得到如下一组数据和图。
1/T(×10-3/K) 3.0 2.6 2.2 1.8 1.4
lnσi 2 3.6 5.1 6.6 8.4
由此可求得该直线的斜率为-4×103，即
Eg=2k0×4000=0.69(eV)