测得GaP材料制成的p＋n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下 VR（V) 0 0.5 1

相关问题

• 1、导体的电容跟它的制成材料有关 跟它的大小和形状无关。
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• 2、PN 结电容等效为势垒电容和扩散电容相（) 当外加电压为正偏时 （)电容决定了结电容的大小。
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• 3、要想减小一个P+N结的结电容 可以采用的方法有：
  2022-08-12
• 4、P--N结正偏时 内外电场迭加时 使势垒降低 扩散运动占优势 形成了较大的正向电流。
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• 5、P--N结反偏时 空间电荷区变厚变宽 故势垒电容变大。
  2022-08-22
• 6、PN结的P区接电源负极 N区接电源正极 称为：
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