耗尽型MOSFET 栅源极之间的PN结（)。A 必须正偏B 必须零偏C 必须反偏D 可以正偏 零偏或反偏

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• 3、作为放大器件工作时 耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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• 5、当PN结外加正向电压时 扩散电流大于漂移电流 耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时 扩散电流小于漂移
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• 6、当PN结外加正向电压时 扩散电流 漂移电流 耗尽层 ；当PN结外加反向电压时 扩散电流 漂移电流 耗尽
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