光刻工艺一般都要经过涂胶 （) 曝光 （) 坚膜 腐蚀 （)等步骤。

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• 3、将曝光后的硅片放入某种化学溶液后 部分光刻胶去除 该工序称为
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• 4、曝光后 光刻胶的溶解性由不容变成可溶 通过显影可以将其曝光部分去除 这种胶称为： 。
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• 5、不论正胶或负胶 光刻过程中都包括如下步骤：1. 刻蚀 2.前烘 3.显影 4. 去胶 5．涂胶 6. 曝光 7. 坚
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• 6、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
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