高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz β=20 集电极最大允许耗散功率PCM =20W 饱和临界线跨导gcr=0.8AV

相关问题

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• 6、某晶体管在IEQ=4mA UCEQ=6V时的参数为β=150 rbe=1kΩ fT=350MHz Cb’c=4pF 则gm约为（）ms。
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