一块掺施主浓度为2×1016cm－3的硅片 在920℃下掺金到饱和浓度。然后经氧化等处理 最后此硅片的表面复合中心为1
硅片,浓度,施主
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一块掺施主浓度为2×1016cm-3的硅片，在920℃下掺金到饱和浓度。然后经氧化等处理，最后此硅片的表面复合中心为1010cm-2。
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认为复合中心Nt分布是均匀的，则由表面复合中心可求得：
Nt=1015cm-3
体寿命
已知金的空穴俘获率γp=1.15×10-7cm3/s，Nt=1015(cm3)
代入得
又因为迁移率μp与总的杂质浓度有关。
Ni=ND+Nt=2×1016×1015=2.1×1016(1/cm3)
由教材查得
μp=350(cm2/V·s)
所以
故扩散长度
表面复合速度
sp=γpNst=1.15×10-7×1010=1.15×103(cm/s)$因为
又因为金在n型Si中起受主作用，故
n0=ND-Nt=1.9×1016(1/cm3)
且在x=0处
代入数据得
p(0)=1.18×104+8.7×10-9×1017×
=1.18×104+8.7×10-9×1017×
=1.18×104+8.7×108×(1-0.035)
=1.18×104+8.7×108×0.965
=1.18×104+8.395×109
=8.4×108(1/cm3)
故根据表面复合速度的物理意义，求得流向表面的空穴流密度为
Jp=sp(p(0)-p0)
代入数据得
Jp=1.15×103×(8.4×108-1.18×104)
=9.66×1011[1/(cm2·s)]