用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp 非平衡空
样品,载流子,脉冲
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用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上，被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子，其产生率为gp，非平衡空穴的寿命为τp，光脉冲宽度△t=3τp。
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设脉冲光开始照射的瞬间t=0，则非平衡空穴所满足的方程为
(0≤t≤△t) (1)
(t≥△t) (2)$解式(1)得
即
当t=0时，将△p=0代入上式得：C"=-gpτp，故
(0≤t＜△t)
解式(2)得
当 t=△t
(0≤t＜△t)
(t≥△t)
由连续条件得
故(t≥△t)
在0≤t＜△t时有
$在用直流光电导衰减法测非平衡载流子寿命时，观察到的为t=3τp以后的那部分曲线。
当t=3τp时有 △p(3τp)=gpτp(1-e-3)=△p0
当t=4τp时有 △p(4τp)=gpτp(e3-1)e-4
故所谓寿命是指3τp～4τp曲线对应的时间，如图所示。
