导航：题目详情 | 答案解析 | 相关问题 | 最新问题 设有一电子在宽为0.20nm的一维无限深的方势阱中 大学 2020-02-18 02:06:57 电子 已帮助 人 设有一电子在宽为0.20nm的一维无限深的方势阱中， 热搜：晶格常数为a的一维晶格中,电子的波函数为 答案解析 难度★★☆ 搜索 一维无限深的方势阱中电子的最低能量为 eV$电子处于第一激发态时，n=2，电子在方势阱中的概率密度为。当时，|φ(x)|2=0，电子在坐标x处出现的概率最小，其值为零。满足条件的坐标为，因为0≤x≤a，所以k=0，1，2。相应的坐标为 x=0，nm，x2=a=0.20nm 电子在这三处出现的概率均为零。 相关问题 1、26 ．波长为 500nm 的平行光线垂直地入射到宽为 1mm 的狭缝 在缝后有一焦距 100cm 的薄透镜 使光 2018-09-25 2、波长600nm的单色光垂直入射在一光栅上。第2级明条纹分别出现在sinθ=0.20处。第4级缺级。试问：（1)光栅上相邻两 2019-12-04 3、在夫琅禾费单缝衍射实验中 以波长为589nm的钠黄光垂直入射 若缝宽为0．1 mm 则第一极小出现在____ 2019-12-15 4、一电子被限制在宽度为1．0×10－10m的一维无限深势阱中运动。试求：（1)欲使电子从基态跃迁到第一激发 2019-12-30 5、已知一维势箱的长度为0．1nm 求：（1)n＝1时箱中电子的德布罗意波长；（2)电子从n＝2向n＝1跃迁时辐射电 2020-01-06 6、一双缝 两缝间距为0.1mm 每缝宽为0.02mm 用波长为480nm的平行单色光垂直入射双缝 双缝后放一焦距 2022-08-08
