试说明IGBT GTR GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
优缺点,电力
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试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
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对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较见表所示。
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较
器 件 优 点 缺 点 IGBT 开关速度较高，开关损耗小，具有耐脉冲电
流冲击的能力，通态电压降较低，输入阻抗
高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，
电压、电流容量不及GTO GTR 电流大，通流能力强，饱和电压降低 开关速度低，为电流驱动，所
需驱动功率大，驱动电路复杂，
存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具
有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门
极负脉冲电流大，开关速度低，
驱动功率大，驱动电路复杂，开
关频率低 电力
MOSFET 开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所
需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，
不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只
适用于功率较小的电力电子装置