IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点 具有输入阻抗高 工作速度快 通态电压低 阻断电压高 承受电流大的

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IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。

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