以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
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以下关于半导体能带特征描述正确的是（）
A．室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
B．室温下，锗的禁带宽度约为0.67eV，是直接带隙半导体
C．室温下，砷化镓的禁带宽度约为1.12eV，是直接带隙半导体
D．室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体
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业务领域基本固定?与政府关系紧密?特殊的融资原则