设MOS管的VTN＝1V 当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V VGS＝2V时 可以断定该MOS管工作在饱和区。 大学网课 2022-08-10 15:06:57 已帮助 人 设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。 热搜：三相三线对称负载测量电路总功率时可以用 回答 共1条回复 正确 相关问题 测量某MOSFET的漏源电压 栅源电压值 VDS=3V VGS=2V VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判 2022-08-10 测量某MOSFET的漏源电压 栅源电压值 VDS=1V VGS=2V VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判 2022-08-10 测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V VG=1V VD=3V 其开启电压VGS（th)=4V。试分析 2022-08-10 测量某MOSFET的漏源电压 栅源电压值 VDS=3V VGS=-1V VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试 2022-08-10 设MOS管的VTP＝-1V 当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V VGS＝-2V时 可以断定该MOS管工作在截止 2022-09-08
