某场效应管的IDSS为6mA 而IDQ自漏极流出 大小为8mA 则该管是（）。 大学网课 2022-08-10 18:59:34 已帮助 人 某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出，大小为8mA,则该管是（）。 A．N沟道结型管B．增强型PMOS管C．耗尽型PMOS管D．耗尽型NMOS管 热搜：关于场效应管的描述正确的是 回答 共1条回复 耗尽型PMOS管 相关问题 某场效晶体管 在漏 源电压保持不变的情况下 栅 源电压变化为2V时 相应的漏极电流变化为4mA 该管的跨导是（)。 2019-09-28 某结型场效应管的夹断电压为-3V 源极电位3V 栅极电位-1V 漏极电位10V 则下述关于该FET说法正确的 2022-08-10 某结型场效应管的夹断电压为3V 源极电位1V 栅极电位3V 漏极电位-10V 则下述关于该FET说法正确的 2022-08-10 当场效应管的漏极电流IDQ从1mA变为2mA时 它的低频跨导 。 2022-08-22 场效应管的输入电阻则随漏极静态电流增大而减小。（） 2022-08-22
