在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形 并可以和多晶层交叠

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在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形,并可以和多晶层交叠,而不是分别在源、漏各绘制一个掺杂层,其主要原因是因为在工艺中采用自对准工艺。

在版图绘制时绘制源漏区域的掺杂层图层时可以绘制一个完全包围有源区的图形 并可以和多晶层交叠

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