位错运动需要外力大于内在阻力。请问内在阻力的来源有哪几个方面（）？ 大学网课 2022-08-12 00:14:12 已帮助 人 位错运动需要外力大于内在阻力。请问内在阻力的来源有哪几个方面（）？ A．（A） 晶格摩擦力B．（B）溶质原子偏聚阻力C．（C）位错林阻力D．（D）界面阻力 热搜：关于内囊出血造成的运动障碍错误的是 回答 共1条回复 对 相关问题 晶粒细化 使晶界增多 位错运动阻力增大 晶体强度升高 2022-08-14 周期晶体点阵中单个位错运动所受的晶格阻力称为派-纳力 并可以推论出晶体中位错滑移应该在密排面 2022-08-30 冷变形量越大 位错缠绕越严重 位错运动阻力越大 因此回复难以进行 2022-09-22 位错切过沉淀相时 只有新增的界面能会增加位错运动的阻力。 2022-09-22 Cu的滑移系虽然比Fe少 但Cu的晶格阻力低 位错容易运动 所以Cu的塑性优于Fe。 2022-09-22
