某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次 且刷新是通过顺序对所有25
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某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次，且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns，求其刷新的开销（即进行刷新操作的时间所占的百分比）是（）
A．3.2%
B．6.4%
C．12.8%
D．25.6%
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