硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高 是因为()。 大学网课 2022-08-12 09:18:20 已帮助 人 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高,是因为()。 A.硅中电子有效质量大B.硅的纯度高,杂质少C.硅的禁带较宽D.硅的禁带较窄 热搜:分光器衰耗值是器件固有的 回答 共1条回复 硅的禁带宽度比锗大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高的本征载流子浓度,使器件失去性能。 相关问题 5. 硅半导体器件比锗半导体器件的工作温度高 是因为()。 A. 硅中电子有效质量大 B. 硅的熔点较高 2022-08-12 砷在半导体硅中主要作为复合中心 减少载流子寿命 提高器件开关速度 2022-08-15 金在半导体硅中主要作为复合中心 减少载流子寿命 提高器件开关速度。 2022-08-15 本征半导体制作的器件 其电学性质具有较好的温度稳定性。 2022-08-29 一般情况下 禁带宽度越大的半导体 其器件的极限工作温度越高。 2022-08-30