题5-3-6:如下关于逻辑努力的描述不正确的是 。

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题5-3-6:如下关于逻辑努力的描述不正确的是 。

A.逻辑努力随着门的复杂度而加大

B.逻辑努力与门的复杂度无关

C.静态CMOS组合逻辑门中,反相器具有最小的逻辑努力

D.静态CMOS组合逻辑门中,反相器具有最小的本征延时

题5-3-6:如下关于逻辑努力的描述不正确的是 。

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