2. 半导体中的载流子在运输过程中 当温度升高时 电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的
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2. 半导体中的载流子在运输过程中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()。 A. 变大,变小 B. 变小,变大 C. 变小,变小 D. 变大,变大
A.A
B.B
C.C
D.D

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C
