在CaF2晶体中 弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV 肖特基缺陷形成能为5.5eV 若该晶体中还含有百万分之

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在CaF2晶体中,弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV,肖特基缺陷形成能为5.5eV,若该晶体中还含有百万分之一的YF3杂质,则在1600度时,占优势的缺陷为杂质缺陷。

在CaF2晶体中 弗伦克尔缺陷的形成能为2.8eV 肖特基缺陷形成能为5.5eV 若该晶体中还含有百万分之

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