通过加热 使待淀积的金属原子获得足够的能量 脱离金属表面蒸发出来 在飞行途中遇到硅片 就淀积在
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通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是
A.CVD
B.氧化
C.蒸发
D.溅射

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蒸发
通过加热,使待淀积的金属原子获得足够的能量,脱离金属表面蒸发出来,在飞行途中遇到硅片,就淀积在硅表面,形成金属薄膜,该工艺过程是
A.CVD
B.氧化
C.蒸发
D.溅射

蒸发