已知MOS结构的硅衬底费米势大于0 则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

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已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0 则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

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