对于沟道长度足够短的MOSFET 其饱和区漏源电流 大学网课 2022-08-15 23:11:40 已帮助 人 对于沟道长度足够短的MOSFET，其饱和区漏源电流 A．∝(VGS -VT)^2B．∝W/LC．∝LD．∝Cox 热搜：垂直接地极的间距不宜小于其长度的2倍 回答 共1条回复 正确 相关问题 21 ．测量表面粗糙度轮廓时 应把测量限制在一段足够短的长度上 这段长度称为 ___________。 2018-07-11 沟道长度调制效应是指在MOS管饱和工作时 沟道长度变大的现象 2022-08-29 对于MOSFET 根据栅源电压为0时是否存在导电沟道 可分为 场效应管和 场效应管。 2022-09-06 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（）。 2022-09-21 MOSFET源极漏极间的长度L越大 沟道长度调制效应越明显。 2022-09-22
