下列关于N型MOSFET的说法 不正确的有
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下列关于N型MOSFET的说法，不正确的有
A．NMOS器件包括栅（G），源（S），漏（D）等端口。
B．NMOS器件的源漏对称。
C．NMOS器件作为开关使用时，栅极接高电平，则源-漏端导通。
D．NMOS器件作为开关使用时，栅极接低电平，则源-漏端断开
回答
共1条回复-
导通后，管压降比较低，管子消耗功率少，因此发热小