下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A 等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学
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下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。
A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。
A、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
B、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
C、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
D、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜。
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等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。;低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。;做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。