电子迁移率取决于两种杂质浓度之差。
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若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大 。;若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小 。;若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降 。
若电离杂质散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而增大 。;若晶格振动散射为主要散射机构,则迁移率随温度升高而减小 。;若温度确定,杂质浓度增大时,电子与空穴的多子、少子迁移率都单调下降 。