考虑理想的金属半导体接触 若金属的功函数为4eV 则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层()

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考虑理想的金属半导体接触,若金属的功函数为4eV,则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层()

A.功函数为3.5eV的半导体

B.功函数为3eV的半导体

C.功函数为4eV的半导体

D.功函数为4.2eV的半导体

考虑理想的金属半导体接触 若金属的功函数为4eV 则下列哪种n型半导体可以与之形成反阻挡层()

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