二 填空题（每空3分 54分） 1 p沟耗尽型MOS管的阈值电压为 达到阈值电压后 表面为 状态。 2 清洁表
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二、填空题（每空3分，54分） 1、p沟耗尽型MOS管的阈值电压为 ，达到阈值电压后，表面为 状态。 2、清洁表面的表面能级处在半导体禁带中的 位置。 3、清洁表面存在 ，即存在 能级，而真实表面还存在 能级。 4、对于受主型能级，无电子填充时表面态是 的，有电子填充时表面态是 的。 5、N型半导体界面附近的固定正电荷会使界面一层成为 状态。 6、Si-SiO2界面态密度最大的晶向是 ；要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷，可通过 退火，选用 晶向。 1、施主型界面态主要是由 引起的，受主型界面态主要是由 引起的。 2、MOS场效应管是___控制的器件。 3、对于衬底为p型的MOS结构，当栅压为负时，表面处于 状态，且当栅压负的足够大时，MOS结构的总电容趋近于 。 10、对于非理想的MOS结构，金属与半导体功函数差以及绝缘层中电荷都会对MOS结构C-V特性产生影响，以Al/SiO2/P-Si MOS结构为例：P型硅的功函数一般较铝大，当Wm<Ws时，将导致C-V特性曲线整体向
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