tanδ是设备绝缘的局部缺陷中介质损失引起的()分量Ir和设备总电容电流Ic之比 它对发现绝缘的整体(
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tanδ是设备绝缘的局部缺陷中介质损失引起的()分量Ir和设备总电容电流Ic之比,它对发现绝缘的整体(即包括了大部分体积)劣化如绝缘均匀受潮较为灵敏,而对局部缺陷(即体积只占介质中较小部分的缺陷和集中缺陷)则不易用测tanδ的方法发现,设备绝缘的体积越大,越不易发现。
A.有功电流
B.无功电流
C.有功电压
D.无功电压

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有功电流
