半导体与绝缘体的能带差异在于前者的禁带宽度()后者的禁带宽度。
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半导体和绝缘体的能带结构相似,都只有满带和空带,不同在于价带和导带之间带隙(禁带)宽度的大小,绝缘体的禁带宽度△Eg通常在3-6 eV,而半导体的禁带宽度△Eg通常小于3eV。
半导体和绝缘体的能带结构相似,都只有满带和空带,不同在于价带和导带之间带隙(禁带)宽度的大小,绝缘体的禁带宽度△Eg通常在3-6 eV,而半导体的禁带宽度△Eg通常小于3eV。