IC采用铝互连系统时 下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象:

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IC采用铝互连系统时,下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象:

A.在淀积的铝膜中掺入约1%Cu;

B.在淀积的铝膜中掺入约1%Si;

C.在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜;

D.在铝膜表面覆盖Si3N4。

IC采用铝互连系统时 下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象:

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