由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时 已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴
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由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
A．n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
B．n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
C．p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压
D．p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压
热搜：不参与构成腮腺床的结构是
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n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压;p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压