LPCVD-SiO2 将工艺控制在较高温度 有：ks>>hg 此时淀积速率的特点为：
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LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为：
A．温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响；
B．淀积速率受气相质量输运控制；
C．淀积速率受表面化学反应控制；
D．反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
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淀积速率受气相质量输运控制；