在SiC上形成一层非晶态SiO2薄膜 限制了进一步氧化。完成氧化分数用测定增重方法确定 并发现是遵守
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在SiC上形成一层非晶态SiO2薄膜，限制了进一步氧化。完成氧化分数用测定增重方法确定，并发现是遵守抛物线氧化规律。对特定颗粒尺寸的SiC和纯氧O2，得到如下表实验数据，试确定表观激活能并说明这是一个扩散控制的反应。 温度（℃） 已氧化分数（%） 时间（h） 930 2.55 100 1135 1.47 10 4.26 100 1275 1.966 10 6.22 100 1375 4.74 50 1.50 5
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D由原文“建筑物直接受光面同檐下阴影中彩绘斑斓的梁枋斗拱，更多了反衬的作用，加强了檐下的艺术效果”可