半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm 则GaAs的禁带宽度为（） 大学网课 2022-09-20 21:44:37 已帮助 人 半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm，则GaAs的禁带宽度为（） A．1.42JB．1.42eVC．1.42E-3 JD．1.42E-3 eV 热搜：关于平面波的本征阻抗说法正确的是 回答 共1条回复 √ 相关问题 本征半导体的本征激发使得自由电子与空穴成对出现 而复合又使得自由电子与空穴成对消失 所以整体 2022-08-09 典型的本征半导体有 2022-08-10 已知一块半导体材料的掺杂浓度Nd=2x10^13cm^-3 Na=0 它的本征载流子浓度为ni=2x10^13cm^-3。假设 2022-08-12 如果两种杂质浓度之差与该温度时的本征载流子浓度ni相近时 半导体进入本征激发区。 2022-08-14 本征光电导器件的长波限可以达到130um。 2022-08-30
