硅恒定源扩散 在扩散温度硅的固溶度为Ns 在进行了40min扩散后 测得结深是1.5μm 若要获得2.0μm的

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硅恒定源扩散,在扩散温度硅的固溶度为Ns,在进行了40min扩散后,测得结深是1.5μm,若要获得2.0μm的结深,在原工艺基础上应再扩散多少分钟?硅表面杂质浓度是多少?

A.应再扩散71min

B.表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度;

C.应再扩散31 min

D.杂质表面浓度=Ns

E.杂质表面浓度<Ns

硅恒定源扩散 在扩散温度硅的固溶度为Ns 在进行了40min扩散后 测得结深是1.5μm 若要获得2.0μm的

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