在非稳态下 栅极电压越大时 耗尽区厚度就越大 从半导体界面处一直接延伸到半导体体内很深的地方 大学网课 2022-12-03 21:12:40 已帮助 人 在非稳态下，栅极电压越大时，耗尽区厚度就越大，从半导体界面处一直接延伸到半导体体内很深的地方 热搜：串联电阻的分压作用是阻值越大电压越 回答 共1条回复 正确 相关问题 耗尽型PMOS管制作时 在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子 在没有外加栅源电压下 就存在导电沟 2022-08-10 N沟道耗尽型场效应管中 漏源电压VDS越大 漏源电流IDS： 。 2022-08-10 已知在非关联参考方向下 某个元件的端电压为5 V 流过该元件的电流为2 mA 则该元件功率状态为（）。 2022-08-10 流过电感元件的电流越大时 其两端电压未必大。（） 2022-08-14 工作于正弦稳态情况下的RLC串联二端网络 已知电阻电压有效值为3V 电容电压有效值为3V 电感电压有 2022-08-28
