导航：题目详情 | 答案解析 | 相关问题 | 最新问题 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？ 职业资格 2017-04-27 23:27:27 速率,步骤 已帮助 人 CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？ 热搜：缓解过敏反应和限制炎症过程的白细胞主 答案解析 难度★★☆ 搜索 本题答案：CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg< 相关问题 1、物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。 2017-04-28 2、对于某种薄膜的CVD过程 淀积温度为900℃ 质量传输系数hG=10cms－1 表面反应速率系数ks=1×107exp（ 2017-04-28 3、CVD主要用于金属薄膜材料的淀积。 2022-08-14 4、下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B 等离子体增强化 2022-08-23 5、下面关于几种CVD方法描述正确的是（）。 A 等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学 2022-08-23 6、常用于金属层间介质淀积的CVD方法是： 。 2022-08-28
