工作于饱和区的MOS晶体管 漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。 大学网课 2022-08-12 05:50:25 已帮助 人 工作于饱和区的MOS晶体管，漏源电流IDS几乎不随漏源电压VDS变化。 热搜：功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定 回答 共1条回复 正确 相关问题 N沟道耗尽型场效应管中 漏源电压VDS越大 漏源电流IDS： 。 2022-08-10 如果MOS晶体管的输出电导gds等于零 说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。 2022-08-12 MOS晶体管属于电压控制器件 漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制 与漏源电压VDS无关。 2022-08-15 对于一个工作在饱和区的NMOS晶体管 在保持偏置电流不变的情况下如何提高输出电阻？ 2022-08-26 放大应用时 工作在饱和区的MOS管 其电流受 控制。 2022-09-11
