MOS晶体管属于电压控制器件 漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制 与漏源电压VDS无关。
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当栅源电压VGS等于开启电压VT时，器件开始导通，当源漏间加电压VDS且VGS=VT时，由于源漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平和垂直分量的作用，沿着沟道就出现了导电。源漏电压（VDS>0）所产生的电场水平分量起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源漏电压的增大，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。