已知Al2O3的相对介电常数为10 若使用它作为替代1.2纳米 SiO2(er=3.9)的高K栅介质层材料 所需Al2O
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已知Al2O3的相对介电常数为10,若使用它作为替代1.2纳米 SiO2(er=3.9)的高K栅介质层材料,所需Al2O3的厚度为
A.0.5 nm
B.3.1 nm
C.0.9 nm
D.1.7 nm

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3.1 nm
