以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

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以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

A.MOS器件源漏精确掺杂

B.形成浅结

C.调节MOS器件阈值电压

D.形成互连

以下不是集成电路制造工艺中离子注入用途的是 。

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