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2 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中

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2、一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中

A．其阈值电压应该是正的

B．强反时，其空间电荷区中的电荷应该是负的

C．积累状态时所加的栅电压应该是负的

D．其费米势应该是负的

2 一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中

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