一扩散 采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min） 再分布温度低（970℃）时间短（30min） 杂质 大学网课 2022-09-06 21:22:30 已帮助 人 一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。 热搜：卡诺定理指出热源温度越高循环热效率越高 回答 共1条回复 900～1050℃ 相关问题 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散 从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm－2。 2017-04-28 对于某种薄膜的CVD过程 淀积温度为900℃ 质量传输系数hG=10cms－1 表面反应速率系数ks=1×107exp（ 2017-04-28 生产中 将扩散分为两步 预淀积对应的是 2022-08-28 对于生产性高毒物控制优先顺序 首先应该优化工艺 减少有毒物质的挥发扩散 工艺条件满足不了就要 2022-08-31 LPCVD-SiO2 将工艺控制在较高温度 有：ks>>hg 此时淀积速率的特点为： 2022-09-06
